事件總覽：2026年第二季全球記憶體市場迎來全面漲價潮，AI伺服器需求爆發與產能排擠效應雙重夾擊下，DRAM與NAND Flash合約價分別創下58%~63%與70%~75%的驚人漲幅，雲端服務供應商紛紛簽訂長期合約確保供貨穩定。
📅 2026年第二季：DRAM價格結構性調整
根據最新市場調查，DRAM原廠正積極將產能轉向高利潤的HBM與伺服器應用，此舉造成傳統DRAM供給緊縮。儘管終端市場出貨面臨下修風險，原廠仍採取「補漲」策略平衡各產品線價差，使一般型DRAM合約價季增達58%~63%。值得注意的是，北美雲端巨頭對AI推論應用的需求明確化，大容量RDIMM成為採購焦點，原廠更優先分配位元產出至獲利最佳的伺服器DRAM領域。
📅 2026年第二季：NAND Flash全線缺貨
NAND Flash市場同樣受AI資料中心需求主導，即便原廠透過製程升級與提高QLC比例增加產出，仍無法滿足市場需求。企業級SSD因生成式AI應用擴張而訂單暴增，新產能預計要到2027年底才能緩解短缺。這波缺貨潮已迫使PC與手機廠商縮減產品容量，而雲端服務商為確保供貨，不惜接受漲價並簽訂長期合約(LTA)，進一步推升價格上漲動能。
📅 2026年第二季：次級市場連鎖反應
記憶體漲價產生連鎖效應：PC OEM因原廠供貨縮減被迫加價採購；智慧手機品牌面臨成本壓力考慮調整生產計畫；消費級DRAM更出現記憶體成本高於產品售價的異常現象。特別在eMMC/UFS領域，雖然與企業級SSD共用製程，但因利潤差距導致供給缺口擴大，第二季價格漲幅居各產品線之冠。
至今影響與未來展望
這場由AI驅動的記憶體軍備競賽已徹底改變產業生態。原廠與主要客戶建立的長期合約機制，將持續影響2026年下半年的價格走勢。業界預期，在2027年新產能開出前，記憶體市場的供不應求狀態仍將維持，特別是高階伺服器與AI應用相關產品線，價格支撐力道強勁。
常見問題 FAQ
2026年第二季記憶體漲價的主因是什麼？
主要受AI伺服器需求爆發與產能排擠效應影響，原廠將產能優先轉向高利潤的HBM與伺服器DRAM，導致傳統DRAM供給緊縮。
雲端服務商如何因應記憶體短缺？
北美主要雲端服務供應商(CSP)透過簽訂長期合約(LTA)確保供貨穩定，並願意接受較高價格，這進一步推升市場行情。
消費級產品受影響程度為何？
消費級DRAM與SSD因原廠供給優先順序較低，出現部分產品記憶體成本高於售價的異常現象，迫使廠商調整產品容量或採購策略。
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