根據市場最新消息，台達電與全球功率半導體領導者英飛凌正深化合作，共同研發碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，這一動向引起了業界對台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施布局的高度關注。
市場傳言背後的真相
截至目前，台達電尚未對相關市場傳言作出正式回應，而公司亦處於法說會前的緘默期。然而，市場普遍認為，此次合作將進一步鞏固台達在高壓直流（HVDC）供電架構上的技術領先地位。
隨著 AI 資料中心機櫃功率不斷攀升，800V HVDC 已成為新一代供電架構的主要發展方向。未來，固態變壓器（SST）將成為下一階段的技術突破點。
碳化矽的獨特優勢
相比傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等特性，能顯著提升中高壓電力轉換效率。因此，碳化矽被視為 800V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，也是支持未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。
英飛凌作為全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件方面擁有全面的產品布局。其產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。
雙方合作的成果與展望
近年來，隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案的研發，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造方面的專業能力，打造高效、高功率密度的電源解決方案。
值得一提的是，台達近年來持續布局 SST 技術。公司總裁張訓海在今年的 GTC 2026 大會上表示，台達早已投入 SST 研發，目前正積極推動 800V 電源架構，預計最遲在 2027 年，SST 將迎來市場爆發。
從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅有助於雙方在碳化矽領域的技術突破，更將加速 800V HVDC 和 SST 在 AI 資料中心的應用落地。這對於提升整體電力基礎設施的效率和可靠性具有重要意義。
數據背後的啟示
數據顯示，AI 資料中心的電力需求正在急速增長，高壓直流供電架構和固態變壓器的應用將成為必然趨勢。台達電與英飛凌的合作，無疑為這一轉型提供了強大的技術支持。
對於業界來說，這一合作不僅意味著技術的進步，更代表著市場格局的變化。未來，誰能在碳化矽技術上取得突破，誰就能在 AI 資料中心電力基礎設施市場中佔據有利位置。
行動呼籲
面對 AI 資料中心電力需求的挑戰，業界需要更多像台達電和英飛凌這樣的企業，通過技術創新來推動產業的進步。讀者不妨思考，您的企業是否已經準備好迎接這一波技術變革？如何在高壓直流供電架構和固態變壓器的應用中找到新的商業機會？
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
台達電與英飛凌合作的領域有哪些？
台達電與英飛凌的合作範圍包括碳化矽（SiC）等關鍵功率元件的研發，旨在提升 AI 資料中心的電力基礎設施。
為什麼碳化矽被視為 800V HVDC 的核心功率元件？
碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等特性，能顯著提升中高壓電力轉換效率，因此被視為 800V HVDC 的核心功率元件。
台達電在 SST 技術上的布局情況如何？
台達電早已投入 SST 研發，目前正積極推動 800V 電源架構，預計最遲在 2027 年，SST 將迎來市場爆發。
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