中國 DRAM 產業擴產潮起，全球供應格局短期難撼動

中國 DRAM 大廠長鑫科技（CXMT）近日完成掛牌，募資規模高達 579 億人民幣，上市後市值迅速攀升，引發市場關注其擴產進程。市場普遍擔憂，長鑫取得充裕資金後，將加速新廠建置、製程升級及產能擴充，可能影響全球 DRAM 供需結構。然而，業者認為，真正影響仍需觀察產能建置、良率提升及終端需求變化，短期內全球缺貨態勢並未因此改變。

長鑫科技的擴產策略

目前，長鑫科技仍以一般型 DRAM 產品為主，主要佈局 DDR4 及 DDR5 市場。由於 HBM 牵涉先進製程、封裝能力及技術門檻，加上相關設備及技術仍受到國際限制，中國廠商短時間內仍難以追趕國際三大原廠。因此，在 AI 記憶體市場競爭格局短期不會有明顯變化。

值得一提的是，中國半導體設備自主化進展備受關注。隨中國自製浸潤式 DUV 曝光設備陸續投入量產，將有助於成熟製程及一般型 DRAM 產能持續擴增。台灣業者也確實感受到中國設備成熟度的提升，雖然在先進領域尚未領先，但在基本設備應用方面已有進步。

市場影響與競爭態勢

法人認為，若未來長鑫產能持續放大，對 DDR4 及中低階 DDR5 市場的價格競爭勢必逐步增加，產品線有所重疊的南亞科、華邦電等利基型 DRAM 業者值得留意。不過，也有業者指出，中國擴產也代表當地市場需求仍具支撐，且中國內需規模龐大，新增產能短期仍以滿足本土市場為主，要形成大量外溢供給仍需時間。

此外，新產能從建廠、設備導入到良率提升均需經過長時間驗證，並非募資完成後即可立即轉化為有效供給。業者認為，目前全球原廠仍無法完全滿足市場需求，至少至 2027 年上半年以前，DRAM 供應仍偏吃緊，市場供需缺口難以完全填補。

從產業面來看，長鑫科技的擴產策略固然令人關注，但其對全球 DRAM 市場的影響仍需時間驗證。在技術門檻和國際限制的背景下，中國廠商短期內難以撼動國際三大原廠的地位。然而，中國半導體設備的自主化進展，將有助於提升其在成熟製程和一般型 DRAM 產品上的競爭力。

Flash 供應擴增的影響

Flash 供應擴增速度雖然相對較快，但新增供給對市場的實質影響，預料將落在 2027 年下半年之後。業者強調，仍須持續觀察各家新產能的量產進度與良率表現。

總體而言，長鑫科技的擴產計劃對全球 DRAM 供應格局帶來新的變數，但其影響仍需時間逐步顯現。市場供需缺口短期內難以完全填補，業者需密切關注中國厂商的動態及其對全球市場的影響。

結語：展望與影響

展望未來，中國 DRAM 產業的擴產將繼續受到市場關注。業者認為，長鑫科技的擴產計劃雖將增加市場競爭，但其對全球供應格局的影響仍需時間驗證。在技術門檻和國際限制的背景下，中國廠商短期內難以撼動國際三大原廠的地位。然而，中國半導體設備的自主化進展，將有助於提升其在成熟製程和一般型 DRAM 產品上的競爭力。

讀者可以關注中國半導體設備的自主化進展，以及長鑫科技的擴產計劃對全球 DRAM 市場的影響。在未來幾年內，市場供需格局的變化將對各廠商的策略調整產生重要影響。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。