在當前半導體市場波動不斷的背景下，記憶體產業卻展現出了意想不到的韌性。根據外資摩根士丹利（Morgan Stanley）的最新報告，儘管市場對記憶體週期、雲端服務供應商的自由現金流以及中國市場的記憶體拋售潮感到擔憂，但 DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未停歇，反而展現出前所未有的定價能力。
現象觀察：記憶體價格逆風上揚
根據研調機構 TrendForce 的預估，第三季常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%，NAND 價格則預估季增 10-15%。然而，摩根士丹利的報告指出，雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA）。受此帶動，摩根士丹利預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月 20% 以上的漲幅，這意味著第三季整季的價格季增率將至少達到 30%。
原因剖析：结构性供應缺口支撐
除了 DRAM，傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。摩根士丹利預期，第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。近期中國記憶體大廠兆易創新（GigaDevice）曾發布公告警告，利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此，摩根士丹利分析師解讀，這較可能屬於「長期趨勢」的預警，而非短期內會發生的現象。
從產業面來看，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
影響評估：投資價值浮現
在投資價值方面，摩根士丹利認為相關公司的 2028 年預估每股淨值（BVPS）已提供良好的下檔支撐。以中國 IC 設計廠兆易創新為例，其股價自 6 月 29 日的高峰美股人民幣 840 元，大幅修正了 45.6%，已浮現估值支撐。此外，台灣記憶體製造廠（IDM）如旺宏、南亞科與華邦電，目前股價約落在 2028 年預估每股淨值的 1.5 倍、1.2 倍與 1.2 倍。
趨勢預測：基本面依然強勁
摩根士丹利指出，回顧歷史經驗，大中華區 IDM 廠的股價淨值比在 1.0 倍左右時，通常具有極強的下檔防禦力道。總結來說，成熟記憶體雖面臨市場短期雜音，但在合約需求與缺口支撐下，基本面與價格走勢依然強勁。
如果往後推演，記憶體產業的結構性缺口將在未來幾個季度繼續支撐價格上漲，投資者可以考慮在股價回调時逐步布局。
面對市場的波動，投資者需要保持冷靜，關注基本面的變化。如果你正在考慮投資記憶體產業，不妨仔細分析各公司的財務狀況和市場地位，尋找最佳的入市時機。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
記憶體價格為什麼會在第三季大幅上漲？
記憶體價格在第三季大幅上漲的主要原因是雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA），這帶動了 DDR4 價格每月 20% 以上的漲幅。
哪些記憶體產品的價格增長最為顯著？
第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長，這些產品的價格增長最為顯著。
投資記憶體產業有哪些風險？
投資記憶體產業的主要風險包括市場需求波動、供應鏈中斷以及技術更新速度。此外，中國記憶體大廠兆易創新預警的長期價格下滑趨勢也可能影響市場信心。
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